Obálka

Arsenic flux dependence of the mobility and junction electric field of modulation-doped GaAs/AlGaAs heterostructures

Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Patricio, Michelee G.
Médium: Diplomová práce
Jazyk:angličtina
Vydáno: 2002.
Témata:
Modulation-doped field-effect transistors.
Gallium arsenside semiconductors.
Molecular beam epitaxy.
Semiconductor doping.