Parametric and kinetic study of silicon nitride film deposition on silicon wafer by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) method

Parametric and kinetic study of silicon nitride film deposition on silicon wafer by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) method

Pokaż wszystkie wersje (4)
Opis bibliograficzny
1. autor: Velasco, Angelito A.
Format: Praca dyplomowa
Język:English
Wydane: 2002.
Hasła przedmiotowe:
Silicon nitride.
Chemical vapor deposition.
Arrhenius equation.