Growth and characterization of GaAs-based optoelectronic devices grown via molecular beam epitaxy

Growth and characterization of GaAs-based optoelectronic devices grown via molecular beam epitaxy

Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Somintac, Armando S.
Định dạng: Luận văn
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: 2001.
Những chủ đề:
Molecular beam epitaxy.
Optoelectronic devices.
Gallium arsenide.