Growth and characterization of GaAs-based optoelectronic devices grown via molecular beam epitaxy

מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי:	Somintac, Armando S.
פורמט:	Thesis
שפה:	English
יצא לאור:	2001.
נושאים:	Molecular beam epitaxy. Optoelectronic devices. Gallium arsenide.