Growth and characterization of GaAs-based optoelectronic devices grown via molecular beam epitaxy

Библиографические подробности
Главный автор:	Somintac, Armando S.
Формат:	Диссертация
Язык:	English
Опубликовано:	2001.
Предметы:	Molecular beam epitaxy. Optoelectronic devices. Gallium arsenide.