Growth and characterization of GaAs-based optoelectronic devices grown via molecular beam epitaxy

Growth and characterization of GaAs-based optoelectronic devices grown via molecular beam epitaxy

Opis bibliograficzny
1. autor: Somintac, Armando S.
Format: Praca dyplomowa
Język:English
Wydane: 2001.
Hasła przedmiotowe:
Molecular beam epitaxy.
Optoelectronic devices.
Gallium arsenide.