Growth and characterization of GaAs-based optoelectronic devices grown via molecular beam epitaxy

Growth and characterization of GaAs-based optoelectronic devices grown via molecular beam epitaxy

Bibliografiset tiedot
Päätekijä: Somintac, Armando S.
Aineistotyyppi: Opinnäyte
Kieli:English
Julkaistu: 2001.
Aiheet:
Molecular beam epitaxy.
Optoelectronic devices.
Gallium arsenide.