Omslagsbild

Mathematical modeling of implant dose and characterization of P-N junctions formed by ion shower technology (IST)

Bibliografiska uppgifter
Huvudupphovsman: Madrid, Pepe L.
Materialtyp: Lärdomsprov
Språk:engelska
Publicerad: 2000.
Ämnen:
Ion implantation > Mathematical models.
Semiconductor doping > Mathematical models.
Semiconductors > Characterization.