Optimization of the growth and fabrication of delta-doped InXGa1-XAs pseudomorphic high-electron mobility transistor

Opis bibliograficzny
1. autor:	Baldo III, Carlos F.
Format:	Praca dyplomowa
Język:	angielski
Wydane:	2008.
Hasła przedmiotowe:	Modulation-doped field-effect transistors.