Sghaier, N. Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs: Dependence on substrate purity. IEEE Transactions on electron devices.
Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)Sghaier, N. "Study of Trapping Phenomenon in 4H-SiC MESFETs: Dependence on Substrate Purity." IEEE Transactions on Electron Devices .
Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 9)Sghaier, N. "Study of Trapping Phenomenon in 4H-SiC MESFETs: Dependence on Substrate Purity." IEEE Transactions on Electron Devices, .
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.