Materials aspects of GaAs and InP based structures

Materials aspects of GaAs and InP based structures

Opis bibliograficzny
1. autor: Swaminathan, V.
Kolejni autorzy: Macrander, A. T.
Format: Książka
Język:English
Wydane: Englewood Cliffs, N.J. Prentice Hall c1991.
Hasła przedmiotowe:
Semiconductors > Materials.
Epitaxy.
Gallium arsenide semiconductors.