Highly integrated gate drivers for Si and GaN power transistors

Highly integrated gate drivers for Si and GaN power transistors

Dettagli Bibliografici
Autori principali: Seidel, Achim (Autore), Wicht, Bernhard (Autore)
Natura: Electronic Resource
Lingua:English
Pubblicazione: Switzerland Springer [2021]
Soggetti:
Power transistors.
Electronic books.
Accesso online:https://link-springer-com.ezproxy.engglib.upd.edu.ph/book/10.1007/978-3-030-68940-7
https://doi.org/10.1007/978-3-030-68940-7