Investigation of the terahertz emission characteristics of MBE-grown GaAs-based nanostructures

Investigation of the terahertz emission characteristics of MBE-grown GaAs-based nanostructures

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Takatori, Satoru (VerfasserIn), Minh, Pham Hong (VerfasserIn), Estacio, Elmer (VerfasserIn), Cadatal-Raduban, Marilou (VerfasserIn), Nakazato, Tomoharu (VerfasserIn), Shimizu, Toshihiko (VerfasserIn), Bailon-Somintac, Michelle (VerfasserIn), Somintac, Armando (VerfasserIn), Defensor, Michael (VerfasserIn), Gabayno, Jacqueline (VerfasserIn), Awitan, Fritz Christian B. (VerfasserIn), Jaculbia, Rafael B. (VerfasserIn), Garcia, Alipio (VerfasserIn), Ponseca, Carlito Jr (VerfasserIn), Salvador, Arnel (VerfasserIn)
Format: Analytics
Sprache:English
Veröffentlicht: 2010.
Schlagworte:
Terahertz.
Semiconductor.
Quantum dot.
Modulation-doped heterostructure.