Fundamentals of modern VLSI devices

Fundamentals of modern VLSI devices

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Detalhes bibliográficos
Principais autores: Taur, Yuan (Autor), Ning, Tak H. (Autor)
Formato: Electronic Resource
Idioma:English
Publicado em: Cambridge Cambridge University Press [2021]
Assuntos:
Metal oxide semiconductors, Complementary.
Bipolar transistors.
Integrated circuits > Very large scale integration.
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