Fundamentals of modern VLSI devices

Fundamentals of modern VLSI devices

Zobrazit všechna vydaní (3)
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři: Taur, Yuan (Autor), Ning, Tak H. (Autor)
Médium: Electronic Resource
Jazyk:English
Vydáno: Cambridge Cambridge University Press [2021]
Témata:
Metal oxide semiconductors, Complementary.
Bipolar transistors.
Integrated circuits > Very large scale integration.
On-line přístup:Click here to access thru EZproxy
Click here to access