يعرض 1 - 1 نتائج من 1 نتيجة بحث عن '"TaN/Zr-oxynitride nMOSFETs."', وقت الاستعلام: 0.02s تنقيح النتائج
  1. 1

    Electrical characterization and material evaluation of zirconium oxynitride gate dielectric in TaN-gated NMOSFETs with high-temperature forming gas annealing. حسب Nieh, R.E

    الحاوية / القاعدة IEEE Transactions on electron devices
    مقال

    Electrical characterization and material evaluation of zirconium oxynitride gate dielectric in TaN-gated NMOSFETs with high-temperature forming gas annealing.

أدوات البحث: