Kết quả tìm kiếm - "Parasitic effects."

  • Đang hiển thị 1 - 2 kết quả của 2
Tinh chỉnh kết quả
  1. 1

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity. Bằng Sghaier, N.

    Bài viết


    Ảnh bìa
  2. 2

    A 1.5-V 14-bit 100-MS Bằng Yonghua Cong

    Bài viết


    Ảnh bìa

Công cụ tìm kiếm: