Результаты поиска - "Memory cells."

  • Отображение 1 - 6 результаты of 6
Отмена результатов
  1. 1

    Adding error-correcting circuitry to ASIC memory. по Gray, K.

    Опубликовано в: IEEE spectrum
    Статья


    Значок книги
  2. 2

    A temperature-insensitive self-recharging circuitry used in DRAMs. по Chua-Chin Wang

    Опубликовано в: IEEE Transactions on VLSI systems
    Статья


    Значок книги
  3. 3

    A 4-kB 500-MHz 4-T CMOS SRAM using low-VTHN bitline drivers and high-VTHP latches. по Chua-Chin Wang

    Опубликовано в: IEEE Transactions on VLSI systems
    Статья


    Значок книги
  4. 4

    Simulation of arsenic in situ doping with polysilicon CVD and its application to high aspect ratio trenches. по Heitzinger, C.

    Статья


    Значок книги
  5. 5

    Block-based multiperiod dynamic memory design for low data-retention power. по Joohee Kim

    Опубликовано в: IEEE Transactions on VLSI systems
    Статья


    Значок книги
  6. 6

    A self-controllable voltage level (SVL) circuit and its low-power high-speed CMOS circuit applications. по Enomoto, T.

    Опубликовано в: IEEE Journal of solid state circuits
    Статья


    Значок книги

Инструменты поиска: