Результаты поиска - "High temperature CVD technique."

  • Отображение 1 - 1 результаты of 1
Отмена результатов
  1. 1

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity. по Sghaier, N.

    Опубликовано в: IEEE Transactions on electron devices
    Статья


    Значок книги

Инструменты поиска: