Результаты поиска - "High longitudinal field."

  • Отображение 1 - 1 результаты of 1
Отмена результатов
  1. 1

    Scaling of strained-Si n-MOSFETs into the ballistic regime and associated anisotropic effects. по Bufler, F.M

    Опубликовано в: IEEE Transactions on electron devices
    Статья


    Значок книги

Инструменты поиска: