Sökresultat - "GaN."

1

Theoretical study of a GaN-AlGaN high electron mobility transistor including a nonlinear polarization model. av Tsung-Hsing Yu

I publikationen IEEE Transactions on electron devices

Artikel

2

Lasers get the green light. av Stevenson, R.

I publikationen IEEE spectrum

Artikel

3

High-power monolithic AlGaN av Kaper, V.S

I publikationen IEEE Journal of solid state circuits

Artikel

4

Si and Zn co-doped InGaN-GaN white light-emitting diodes. av Chang, S.J

I publikationen IEEE Transactions on electron devices

Artikel

5

The fabrication process of capacitive pressure sensor and sensing circuits

I publikationen ASEAN journal on science & technology for development

Artikel

6

Crystal method. av Stevenson, R.

I publikationen IEEE spectrum

Artikel

7

The origins of leaky characteristics of Schottky diodes on p-GaN. av Yu, L.S

I publikationen IEEE Transactions on electron devices

Artikel

8

The toughest transistor yet [GaN transistors]. av Eastman, L.F

I publikationen IEEE spectrum

Artikel

9

The toughest transistor yet [GaN transistors]. av Eastman, L.F

I publikationen IEEE spectrum

Artikel

10

The toughest transistor yet [GaN transistors]. av Eastman, L.F

I publikationen IEEE spectrum

Artikel

Sökresultat - "GaN."

Theoretical study of a GaN-AlGaN high electron mobility transistor including a nonlinear polarization model. av Tsung-Hsing Yu

Lasers get the green light. av Stevenson, R.

High-power monolithic AlGaN av Kaper, V.S

Si and Zn co-doped InGaN-GaN white light-emitting diodes. av Chang, S.J

The fabrication process of capacitive pressure sensor and sensing circuits

Crystal method. av Stevenson, R.

The origins of leaky characteristics of Schottky diodes on p-GaN. av Yu, L.S

The toughest transistor yet [GaN transistors]. av Eastman, L.F

The toughest transistor yet [GaN transistors]. av Eastman, L.F

The toughest transistor yet [GaN transistors]. av Eastman, L.F

Sökverktyg:

Förfina resultatet

CAMPUS

DATABASE

UNIT LIBRARY

RESOURCE TYPE

AUTHOR

LANGUAGE