Εμφανίζονται 1 - 2 Αποτελέσματα από 2 για την αναζήτηση '"Full-band Monte Carlo simulations."', χρόνος αναζήτησης: 0,02δλ Περιορισμός αποτελεσμάτων
  1. 1

    Scaling of strained-Si n-MOSFETs into the ballistic regime and associated anisotropic effects. ανά Bufler, F.M

    Τόπος έκδοσης IEEE Transactions on electron devices
    Άρθρο

    Scaling of strained-Si n-MOSFETs into the ballistic regime and associated anisotropic effects.
  2. 2

    Monte Carlo simulation and measurement of nanoscale n-MOSFETs. ανά Bufler, F.M

    Τόπος έκδοσης IEEE Transactions on electron devices
    Άρθρο

    Monte Carlo simulation and measurement of nanoscale n-MOSFETs.

Εργαλεία αναζήτησης: