نتائج البحث - "Channel crystallographic orientation."

  • يعرض 1 - 1 نتائج من 1
تنقيح النتائج
  1. 1

    Scaling of strained-Si n-MOSFETs into the ballistic regime and associated anisotropic effects. حسب Bufler, F.M

    الحاوية / القاعدة IEEE Transactions on electron devices
    مقال


    صورة الغلاف

أدوات البحث: