Результаты поиска - "0.1 micron."

  • Отображение 1 - 2 результаты of 2
Отмена результатов
  1. 1

    A 0.1-μm 1.8-V 256-Mb Phase-Change Random Access Memory (PRAM) With 66-MHz Synchronous Burst-Read Operation. по Kang, S.

    Опубликовано в: IEEE Journal of solid state circuits
    Статья


    Значок книги
  2. 2

    Simulation of arsenic in situ doping with polysilicon CVD and its application to high aspect ratio trenches. по Heitzinger, C.

    Статья


    Значок книги

Инструменты поиска: