Visas 1 - 1 av 1 resultat för sökning '"Gate oxide time to breakdown."', Sökningstid: 0,02s Förfina resultatet
  1. 1

    A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing. av Jongdae Kim

    Artikel

    A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing.

Sökverktyg: