Отображение 1 - 1 результаты of 1 для поиска '"SiC:V."', время запроса: 0.01сек. Отмена результатов
  1. 1

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity. по Sghaier, N.

    Опубликовано в: IEEE Transactions on electron devices
    Статья

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity.

Инструменты поиска: