Отображение 1 - 2 результаты of 2 для поиска '"Parasitic effects."', время запроса: 0.02сек. Отмена результатов
  1. 1

    A 1.5-V 14-bit 100-MS по Yonghua Cong

    Опубликовано в: IEEE Journal of solid state circuits
    Статья

    A 1.5-V 14-bit 100-MS
  2. 2

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity. по Sghaier, N.

    Опубликовано в: IEEE Transactions on electron devices
    Статья

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity.

Инструменты поиска: