Отображение 1 - 3 результаты of 3 для поиска '"High electron mobility transistors."', время запроса: 0.01сек. Отмена результатов
  1. 1

    Indium phosphide ICs unleash the high-frequency spectrum. по Raghavan, G.

    Опубликовано в: IEEE spectrum
    Статья

    Indium phosphide ICs unleash the high-frequency spectrum.
  2. 2

    Impact ionization measurements and modeling for power PHEMT. по Baksht, T.

    Опубликовано в: IEEE Transactions on electron devices
    Статья

    Impact ionization measurements and modeling for power PHEMT.
  3. 3

    Impact ionization measurements and modeling for power PHEMT. по Baksht, T.

    Опубликовано в: IEEE Transactions on electron devices
    Статья

    Impact ionization measurements and modeling for power PHEMT.

Инструменты поиска: