Отображение 1 - 1 результаты of 1 для поиска '"Gate oxide time to breakdown."', время запроса: 0.01сек. Отмена результатов
  1. 1

    A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing. по Jongdae Kim

    Опубликовано в: IEEE Transactions on electron devices
    Статья

    A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing.

Инструменты поиска: