Отображение 1 - 1 результаты of 1 для поиска '"2D analysis."', время запроса: 0.01сек. Отмена результатов
  1. 1

    Analysis of surface-state and impact-ionization effects on breakdown characteristics and gate-lag phenomena in narrowly recessed gate GaAs FETs. по Mitani, Y.

    Опубликовано в: IEEE Transactions on electron devices
    Статья

    Analysis of surface-state and impact-ionization effects on breakdown characteristics and gate-lag phenomena in narrowly recessed gate GaAs FETs.

Инструменты поиска: