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  1. 1

    A 1.5-V 14-bit 100-MS Por Yonghua Cong

    Artigo

    A 1.5-V 14-bit 100-MS
  2. 2

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity. Por Sghaier, N.

    Artigo

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity.

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