Rezultaty 1 - 1 Rezultaty od 1 Dla wyszukiwania '"Equivalent oxide thickness scaling."', Czas wyszukiwania: 0,02s Redukuj rezultaty
  1. 1

    Improvement of surface carrier mobility of HfO2 MOSFETs by high-temperature forming gas annealing. od Onishi, K.

    Artykuł

    Improvement of surface carrier mobility of HfO2 MOSFETs by high-temperature forming gas annealing.

Narzędzie wyszukiwania: