Prikaz rezultata 1 – 1 od 1 za pretragu '"Physical vapor transport sublimation technique."', vrijeme upita: 0,02s Detaljiziraj rezultate
  1. 1

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity. od Sghaier, N.

    Članak

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity.

Alati za pretragu: