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    A 1.5-V 14-bit 100-MS द्वारा Yonghua Cong

    में प्रकाशित IEEE Journal of solid state circuits
    लेख

    A 1.5-V 14-bit 100-MS
  2. 2

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity. द्वारा Sghaier, N.

    में प्रकाशित IEEE Transactions on electron devices
    लेख

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity.

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