Résultat(s) 1 - 2 résultats de 2 pour la requête '"Parasitic effects."', Temps de recherche: 0,02s Affiner les résultats
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    A 1.5-V 14-bit 100-MS par Yonghua Cong

    Article

    A 1.5-V 14-bit 100-MS
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    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity. par Sghaier, N.

    Article

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity.

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