Résultat(s) 1 - 1 résultats de 1 pour la requête '"Gate oxide time to breakdown."', Temps de recherche: 0,02s Affiner les résultats
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    A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing. par Jongdae Kim

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    A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing.

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