Näytetään 1 - 3 yhteensä 3 tuloksesta haulle '"High electron mobility transistors."', hakuaika: 0,01s Tarkenna hakua
  1. 1

    Indium phosphide ICs unleash the high-frequency spectrum. Tekijä Raghavan, G.

    Julkaisussa IEEE spectrum
    Artikkeli

    Indium phosphide ICs unleash the high-frequency spectrum.
  2. 2

    Impact ionization measurements and modeling for power PHEMT. Tekijä Baksht, T.

    Artikkeli

    Impact ionization measurements and modeling for power PHEMT.
  3. 3

    Impact ionization measurements and modeling for power PHEMT. Tekijä Baksht, T.

    Artikkeli

    Impact ionization measurements and modeling for power PHEMT.

Työkalut: