Näytetään
1 - 6
yhteensä
6
tuloksesta haulle '
"Dielectric constant."
'
Siirry sisältöön
UPFind
Kirjakori:
0
tietuetta
(Täynnä)
Kieli
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Kaikki kentät
Nimeke
Tekijä
Aihe
Hyllypaikka
ISBN/ISSN
Hae
Tarkennettu
Hakutulokset - "Dielectric constant."
Näytetään
1 - 6
yhteensä
6
tuloksesta haulle '
"Dielectric constant."
'
, hakuaika: 0,01s
Tarkenna hakua
Järjestä
Relevanssi
Newest to Oldest
Oldest to Newest
Tekijä
Nimeke
Select Page
Sähköposti
Vienti
Tulosta
Lisää kirjakoriin
Valitse hakutulos 1
1
Possibility of Nd1.9Ba1.1Cu3O7+δ and Pr1.14Ba1.86Cu3O7-δ single crystals for insulator in high-speed superconducting circuits.
Tekijä
Saba, F.M
Julkaisussa
IEEE Transactions on applied superconductivity
Hyllypaikka:
loading...
Sijainti:
loading...
Artikkeli
loading...
Lisää kirjakoriin
Poista kirjakorista
Valitse hakutulos 2
2
The amazing vanishing transistor act.
Tekijä
Geppert, L.
Julkaisussa
IEEE spectrum
Hyllypaikka:
loading...
Sijainti:
loading...
Artikkeli
loading...
Lisää kirjakoriin
Poista kirjakorista
Valitse hakutulos 3
3
The amazing vanishing transistor act.
Tekijä
Geppert, L.
Julkaisussa
IEEE spectrum
Hyllypaikka:
loading...
Sijainti:
loading...
Artikkeli
loading...
Lisää kirjakoriin
Poista kirjakorista
Valitse hakutulos 4
4
The amazing vanishing transistor act.
Tekijä
Geppert, L.
Julkaisussa
IEEE spectrum
Hyllypaikka:
loading...
Sijainti:
loading...
Artikkeli
loading...
Lisää kirjakoriin
Poista kirjakorista
Valitse hakutulos 5
5
Millimeter-wave proximity-coupled microstrip antenna on an extended hemispherical dielectric lens.
Tekijä
Mall, L.
Julkaisussa
IEEE Transactions on antennas and propagation
Hyllypaikka:
loading...
Sijainti:
loading...
Artikkeli
loading...
Lisää kirjakoriin
Poista kirjakorista
Valitse hakutulos 6
6
Impact of interfacial layer and transition region on gate current performance for high-K gate dielectric stack its tradeoff with gate capacitance.
Tekijä
Yang-Yu Fan
Julkaisussa
IEEE Transactions on electron devices
Hyllypaikka:
loading...
Sijainti:
loading...
Artikkeli
loading...
Lisää kirjakoriin
Poista kirjakorista
Select Page
Sähköposti
Vienti
Tulosta
Lisää kirjakoriin
Työkalut:
Lähetä haku sähköpostilla
Takaisin
Tarkenna hakua
Sivu ladataan uudelleen, kun suodatin valitaan tai jätetään pois.
DATABASE
Union Catalog (Buklod)
6 tulosta
6
AUTHOR
Geppert, L.
3 tulosta
3
Mall, L.
1 tulosta
1
Saba, F.M
1 tulosta
1
Yang-Yu Fan
1 tulosta
1
RESOURCE TYPE
Artikkeli
6 tulosta
6
LANGUAGE
English
6 tulosta
6
TUKLAS
: UP Libraries' Resource Discovery Tool
Copyright © 2020-2021. The University Library, University of the Philippines Diliman