Näytetään 1 - 1 yhteensä 1 tuloksesta haulle '"2.3 to 2.4 micron."', hakuaika: 0,02s Tarkenna hakua
  1. 1

    A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing. Tekijä Jongdae Kim

    Artikkeli

    A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing.

Työkalut: