Εμφανίζονται 1 - 8 Αποτελέσματα από 8 για την αναζήτηση '"SiC."', χρόνος αναζήτησης: 0,02δλ Περιορισμός αποτελεσμάτων
  1. 1
  2. 2
  3. 3

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity. ανά Sghaier, N.

    Τόπος έκδοσης IEEE Transactions on electron devices
    Άρθρο
  4. 4

    Development of high-current 4H-SiC ACCUFET. ανά Singh, R.

    Τόπος έκδοσης IEEE Transactions on electron devices
    Άρθρο
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8

    Development of high-current 4H-SiC ACCUFET. ανά Singh, R.

    Τόπος έκδοσης IEEE Transactions on electron devices
    Άρθρο

Εργαλεία αναζήτησης: