Εμφανίζονται 1 - 3 Αποτελέσματα από 3 για την αναζήτηση '"High electron mobility transistors."', χρόνος αναζήτησης: 0,02δλ Περιορισμός αποτελεσμάτων
  1. 1

    Indium phosphide ICs unleash the high-frequency spectrum. ανά Raghavan, G.

    Τόπος έκδοσης IEEE spectrum
    Άρθρο

    Indium phosphide ICs unleash the high-frequency spectrum.
  2. 2

    Impact ionization measurements and modeling for power PHEMT. ανά Baksht, T.

    Τόπος έκδοσης IEEE Transactions on electron devices
    Άρθρο

    Impact ionization measurements and modeling for power PHEMT.
  3. 3

    Impact ionization measurements and modeling for power PHEMT. ανά Baksht, T.

    Τόπος έκδοσης IEEE Transactions on electron devices
    Άρθρο

    Impact ionization measurements and modeling for power PHEMT.

Εργαλεία αναζήτησης: