Suchergebnisse - "High electron mobility transistors."

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Indium phosphide ICs unleash the high-frequency spectrum. von Raghavan, G.

Veröffentlicht in IEEE spectrum

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Impact ionization measurements and modeling for power PHEMT. von Baksht, T.

Veröffentlicht in IEEE Transactions on electron devices

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Impact ionization measurements and modeling for power PHEMT. von Baksht, T.

Veröffentlicht in IEEE Transactions on electron devices

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