Zobrazuji výsledky 1 - 2 z 2 pro vyhledávání '"Parasitic effects."', doba hledání: 0,02 s. Upřesnit hledání
  1. 1

    A 1.5-V 14-bit 100-MS Autor Yonghua Cong

    Článek

    A 1.5-V 14-bit 100-MS
  2. 2

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity. Autor Sghaier, N.

    Článek

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity.

Vyhledávací nástroje: