Zobrazuji výsledky
1 - 6
z
6
pro vyhledávání '
"Dielectric constant."
'
Přeskočit na obsah
UPFind
Košík:
0
položek
(Plný)
Jazyk
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Hledat
Pokročilé
Výsledky vyhledávání - "Dielectric constant."
Zobrazuji výsledky
1 - 6
z
6
pro vyhledávání '
"Dielectric constant."
'
, doba hledání: 0,01 s.
Upřesnit hledání
Seřadit podle
Relevance
Newest to Oldest
Oldest to Newest
Autor
Název
Select Page
E-mail
Exportovat
Vytisknout
Přidat do košíku
Vybrat výsledek číslo 1
1
Possibility of Nd1.9Ba1.1Cu3O7+δ and Pr1.14Ba1.86Cu3O7-δ single crystals for insulator in high-speed superconducting circuits.
Autor
Saba, F.M
Vydáno v
IEEE Transactions on applied superconductivity
Signatura:
loading...
Umístění:
loading...
Článek
loading...
Přidat do košíku
Vyjmout z košíku
Vybrat výsledek číslo 2
2
The amazing vanishing transistor act.
Autor
Geppert, L.
Vydáno v
IEEE spectrum
Signatura:
loading...
Umístění:
loading...
Článek
loading...
Přidat do košíku
Vyjmout z košíku
Vybrat výsledek číslo 3
3
The amazing vanishing transistor act.
Autor
Geppert, L.
Vydáno v
IEEE spectrum
Signatura:
loading...
Umístění:
loading...
Článek
loading...
Přidat do košíku
Vyjmout z košíku
Vybrat výsledek číslo 4
4
The amazing vanishing transistor act.
Autor
Geppert, L.
Vydáno v
IEEE spectrum
Signatura:
loading...
Umístění:
loading...
Článek
loading...
Přidat do košíku
Vyjmout z košíku
Vybrat výsledek číslo 5
5
Millimeter-wave proximity-coupled microstrip antenna on an extended hemispherical dielectric lens.
Autor
Mall, L.
Vydáno v
IEEE Transactions on antennas and propagation
Signatura:
loading...
Umístění:
loading...
Článek
loading...
Přidat do košíku
Vyjmout z košíku
Vybrat výsledek číslo 6
6
Impact of interfacial layer and transition region on gate current performance for high-K gate dielectric stack its tradeoff with gate capacitance.
Autor
Yang-Yu Fan
Vydáno v
IEEE Transactions on electron devices
Signatura:
loading...
Umístění:
loading...
Článek
loading...
Přidat do košíku
Vyjmout z košíku
Select Page
E-mail
Exportovat
Vytisknout
Přidat do košíku
Vyhledávací nástroje:
Poslat e-mailem
Zpět
Upřesnit hledání
Při vybrání filtru bude stránka obnovena.
DATABASE
Union Catalog (Buklod)
6 výsledků
6
AUTHOR
Geppert, L.
3 výsledků
3
Mall, L.
1 výsledků
1
Saba, F.M
1 výsledků
1
Yang-Yu Fan
1 výsledků
1
RESOURCE TYPE
Článek
6 výsledků
6
LANGUAGE
English
6 výsledků
6
TUKLAS
: UP Libraries' Resource Discovery Tool
Copyright © 2020-2021. The University Library, University of the Philippines Diliman