يعرض 1 - 2 نتائج من 2 نتيجة بحث عن '"Parasitic effects."', وقت الاستعلام: 0.01s تنقيح النتائج
  1. 1

    A 1.5-V 14-bit 100-MS حسب Yonghua Cong

    الحاوية / القاعدة IEEE Journal of solid state circuits
    مقال

    A 1.5-V 14-bit 100-MS
  2. 2

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity. حسب Sghaier, N.

    الحاوية / القاعدة IEEE Transactions on electron devices
    مقال

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity.

أدوات البحث: