يعرض 1 - 1 نتائج من 1 نتيجة بحث عن '"Gate oxide time to breakdown."', وقت الاستعلام: 0.02s تنقيح النتائج
  1. 1

    A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing. حسب Jongdae Kim

    الحاوية / القاعدة IEEE Transactions on electron devices
    مقال

    A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing.

أدوات البحث: