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Molecular beam epitaxy materials and applications for electronics and optoelectronics
Veröffentlicht 2019Available for University of the Philippines Diliman College of Engineering via IEEE Xplore. Click here to access
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Electronic Resource -
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Photoluminescence excitation spectroscopy of coupled and decoupled GaAs/AlxGa1-xAs double quantum wells
Veröffentlicht 2013Abschlussarbeit -
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Growth of gold-assisted gallium arsenide nanowires on silicon substrates via molecular beam epitaxy
Veröffentlicht 2009Abschlussarbeit -
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X-Ray diffraction analysis of MBE-grown InxGa1-xAs/GaAs superlattices on GaAs (100) substrates
Veröffentlicht 2009Abschlussarbeit -
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Molecular beam epitaxial growth of InAs/InAlAs quantum wires on Inp (100) substrate
Veröffentlicht 2007Abschlussarbeit -
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Arsenic flux dependence of the mobility and junction electric field of modulation-doped GaAs/AlGaAs heterostructures
Veröffentlicht 2002Abschlussarbeit -
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X-ray diffraction investigation of GaAs-based multiple quantum wells grown on on-axis and off-axis substrates via molecular beam epitaxy (MBE)
Veröffentlicht 2001Abschlussarbeit -
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Growth and characterization of GaAs-based optoelectronic devices grown via molecular beam epitaxy
Veröffentlicht 2001Abschlussarbeit -
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Deep level transient spectroscopy of gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy on on-axis (100) and off-axis substrates
Veröffentlicht 2001Abschlussarbeit -
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A report on the initial growth of GaAs and A1GaAs via molecular beam epitaxy
Veröffentlicht in Science Diliman (2001)Artikel