Результати пошуку

  1. 1

    Parametric study of the reactive ion etching of silicon за авторством Sotto, Romelyn H.

    Опубліковано 2008
    Дисертація
  2. 2

    Formation of nanopillars on 4H-SiC via self-masking CF4 plasma etching in a gas disharge ion source за авторством Gines, Arnold Rey B.

    Опубліковано 2013
    Дисертація
  3. 3

    Reactive ion etching of GaAs structures using BCl3 за авторством Mailig, Rengie Mark D.

    Опубліковано 2012
    Дисертація
  4. 4
  5. 5

    Principles of plasma discharges and materials processing за авторством Lieberman, M. A. ( Michael A.)

    Опубліковано 1994
    Книга
  6. 6
  7. 7

    Applications of plasma processes to VLSI technology

    Опубліковано 1985
    Книга
  8. 8
  9. 9
  10. 10