Výsledky vyhledávání

Upřesnit hledání
  1. 1

    Gas source molecular beam epitaxy growth and properties of phosphorus containing III-V heterostructures Autor Panish, M. B.

    Vydáno 1993
    Kniha


    Obálka
  2. 2

    X-ray diffraction investigation of GaAs-based multiple quantum wells grown on on-axis and off-axis substrates via molecular beam epitaxy (MBE) Autor Guiao, Luisito C.

    Vydáno 2001
    Diplomová práce


    Obálka
  3. 3

    Growth and characterization of GaAs-based optoelectronic devices grown via molecular beam epitaxy Autor Somintac, Armando S.

    Vydáno 2001
    Diplomová práce


    Obálka
  4. 4

    Deep level transient spectroscopy of gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy on on-axis (100) and off-axis substrates Autor Sarmiento, Raymund Lee Antonio C.

    Vydáno 2001
    Diplomová práce


    Obálka
  5. 5

    Growth of gold-assisted gallium arsenide nanowires on silicon substrates via molecular beam epitaxy Autor Delos Santos, Ramon Mandapat

    Vydáno 2009
    Diplomová práce


    Obálka
  6. 6

    Photoluminescence excitation spectroscopy of coupled and decoupled GaAs/AlxGa1-xAs double quantum wells Autor De las Alas, Kaye Ann C.

    Vydáno 2013
    Diplomová práce


    Obálka
  7. 7

    InχGa1-χAs on (100) InP substrate optoelectronic devices via molecular beam epitaxy Autor Podpod, Arnita C.

    Diplomová práce


    Obálka
  8. 8

    Arsenic flux dependence of the mobility and junction electric field of modulation-doped GaAs/AlGaAs heterostructures Autor Patricio, Michelee G.

    Vydáno 2002
    Diplomová práce


    Obálka
  9. 9

    Resonant cavity-enhanced devices on Au/Si substrate Autor Manibog, Kristine Inocente

    Diplomová práce


    Obálka
  10. 10

    X-Ray diffraction analysis of MBE-grown InxGa1-xAs/GaAs superlattices on GaAs (100) substrates Autor Fernando, Joel G.

    Vydáno 2009
    Diplomová práce


    Obálka

Vyhledávací nástroje: