অনুসন্ধান ফলাফলগুলি

ফলাফল পরিমার্জন করুন
  1. 1

    Gas source molecular beam epitaxy growth and properties of phosphorus containing III-V heterostructures অনুযায়ী Panish, M. B.

    প্রকাশিত 1993
    গ্রন্থ


    প্রচ্ছদ
  2. 2

    X-ray diffraction investigation of GaAs-based multiple quantum wells grown on on-axis and off-axis substrates via molecular beam epitaxy (MBE) অনুযায়ী Guiao, Luisito C.

    প্রকাশিত 2001
    গবেষণাপত্র


    প্রচ্ছদ
  3. 3

    Growth and characterization of GaAs-based optoelectronic devices grown via molecular beam epitaxy অনুযায়ী Somintac, Armando S.

    প্রকাশিত 2001
    গবেষণাপত্র


    প্রচ্ছদ
  4. 4

    Deep level transient spectroscopy of gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy on on-axis (100) and off-axis substrates অনুযায়ী Sarmiento, Raymund Lee Antonio C.

    প্রকাশিত 2001
    গবেষণাপত্র


    প্রচ্ছদ
  5. 5

    Growth of gold-assisted gallium arsenide nanowires on silicon substrates via molecular beam epitaxy অনুযায়ী Delos Santos, Ramon Mandapat

    প্রকাশিত 2009
    গবেষণাপত্র


    প্রচ্ছদ
  6. 6

    Photoluminescence excitation spectroscopy of coupled and decoupled GaAs/AlxGa1-xAs double quantum wells অনুযায়ী De las Alas, Kaye Ann C.

    প্রকাশিত 2013
    গবেষণাপত্র


    প্রচ্ছদ
  7. 7

    InχGa1-χAs on (100) InP substrate optoelectronic devices via molecular beam epitaxy অনুযায়ী Podpod, Arnita C.

    গবেষণাপত্র


    প্রচ্ছদ
  8. 8

    Arsenic flux dependence of the mobility and junction electric field of modulation-doped GaAs/AlGaAs heterostructures অনুযায়ী Patricio, Michelee G.

    প্রকাশিত 2002
    গবেষণাপত্র


    প্রচ্ছদ
  9. 9

    Resonant cavity-enhanced devices on Au/Si substrate অনুযায়ী Manibog, Kristine Inocente

    গবেষণাপত্র


    প্রচ্ছদ
  10. 10

    X-Ray diffraction analysis of MBE-grown InxGa1-xAs/GaAs superlattices on GaAs (100) substrates অনুযায়ী Fernando, Joel G.

    প্রকাশিত 2009
    গবেষণাপত্র


    প্রচ্ছদ

অনুসন্ধান সাধনীগুলি: