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  1. 1

    Gas source molecular beam epitaxy growth and properties of phosphorus containing III-V heterostructures Por Panish, M. B.

    Publicado em 1993
    Livro


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  2. 2

    X-ray diffraction investigation of GaAs-based multiple quantum wells grown on on-axis and off-axis substrates via molecular beam epitaxy (MBE) Por Guiao, Luisito C.

    Publicado em 2001
    Thesis


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  3. 3

    Growth and characterization of GaAs-based optoelectronic devices grown via molecular beam epitaxy Por Somintac, Armando S.

    Publicado em 2001
    Thesis


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  4. 4

    Deep level transient spectroscopy of gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy on on-axis (100) and off-axis substrates Por Sarmiento, Raymund Lee Antonio C.

    Publicado em 2001
    Thesis


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  5. 5

    Growth of gold-assisted gallium arsenide nanowires on silicon substrates via molecular beam epitaxy Por Delos Santos, Ramon Mandapat

    Publicado em 2009
    Thesis


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  6. 6

    Photoluminescence excitation spectroscopy of coupled and decoupled GaAs/AlxGa1-xAs double quantum wells Por De las Alas, Kaye Ann C.

    Publicado em 2013
    Thesis


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  7. 7

    InχGa1-χAs on (100) InP substrate optoelectronic devices via molecular beam epitaxy Por Podpod, Arnita C.

    Thesis


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  8. 8

    Arsenic flux dependence of the mobility and junction electric field of modulation-doped GaAs/AlGaAs heterostructures Por Patricio, Michelee G.

    Publicado em 2002
    Thesis


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  9. 9

    Resonant cavity-enhanced devices on Au/Si substrate Por Manibog, Kristine Inocente

    Thesis


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  10. 10

    X-Ray diffraction analysis of MBE-grown InxGa1-xAs/GaAs superlattices on GaAs (100) substrates Por Fernando, Joel G.

    Publicado em 2009
    Thesis


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