Modeling and electrothermal simulation of SiC power devices using Silvacoà ATLAS

Modeling and electrothermal simulation of SiC power devices using Silvacoà ATLAS

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Pushpakaran, Bejoy (Tác giả), Bayne, Stephen (Tác giả)
Định dạng: Electronic Resource
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: New Jersey World Scientific [2019]
Những chủ đề:
ATLAS TCAD (Computer program).
Wide gap semiconductors.
Silicon carbide.
Electronic books.
Truy cập trực tuyến:Available for University of the Philippines Diliman via World Scientific. Click here to access
Also available remotely for University of the Philippines Diliman via World Scientific. Click here to access thru EZproxy