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Modeling and electrothermal simulation of SiC power devices using Silvacoà ATLAS
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Modeling and electrothermal simulation of SiC power devices using Silvacoà ATLAS

Détails bibliographiques
Auteurs principaux: Pushpakaran, Bejoy (Auteur), Bayne, Stephen (Auteur)
Format: Electronic Resource
Langue:English
Publié: New Jersey World Scientific [2019]
Sujets:
ATLAS TCAD (Computer program).
Wide gap semiconductors.
Silicon carbide.
Electronic books.
Accès en ligne:Available for University of the Philippines Diliman via World Scientific. Click here to access
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